摘要：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件的技術(shù)。本發(fā)明解決了現(xiàn)有常規(guī)體硅LDMOS器件只關(guān)注該器件表面電場(chǎng)優(yōu)化的問(wèn)題，提供了一種體內(nèi)場(chǎng)調(diào)制的體硅LDMOS器件，其技術(shù)方案可概括為：體內(nèi)場(chǎng)調(diào)制的體硅LDMOS器件，其在第一型雜質(zhì)襯底中水平設(shè)置有第二型雜質(zhì)浮空層，第二型雜質(zhì)浮空層與第二型雜質(zhì)外延層之間的垂直距離大于零。本發(fā)明的有益效果是，其在第一型雜質(zhì)襯底中引入第二型雜質(zhì)浮空層電荷，所引入的電荷與第一型雜質(zhì)襯底相互作用會(huì)增加該器件的表面場(chǎng)，同時(shí)其促使耗盡層向第一型雜質(zhì)襯底延伸，減小該器件縱向電場(chǎng)強(qiáng)度，且第二型雜質(zhì)浮空層能夠?qū)τ谄骷茀^(qū)中橫向電場(chǎng)與縱向電場(chǎng)進(jìn)行調(diào)制，適用于體硅LDMOS器件。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人四川長(zhǎng)虹電器股份有限公司;
- 發(fā)明人梁濤;羅波;孫鎮(zhèn);
- 地址621000 四川省綿陽(yáng)市高新區(qū)綿興東路35號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201010579333.6
- 申請(qǐng)時(shí)間2010年12月08日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102082177A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2011年06月01日
- 分類(lèi)號(hào)H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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