摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種帶三角槽的SOI-LDMOS高壓功率器件。本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)SOI-LDMOS器件關(guān)斷時(shí)，漏極電壓將在埋氧層下方誘導(dǎo)出電子反型層，它會(huì)阻止等勢(shì)線穿過(guò)埋氧層，導(dǎo)致?lián)舸┻^(guò)早發(fā)生在硅層，縱向耐壓難以提高的問(wèn)題，公開(kāi)了一種帶三角槽的SOI-LDMOS高壓功率器件。其主要是通過(guò)在漂移區(qū)下方的埋氧層上蝕刻出的三角形溝槽；這樣在漂移區(qū)下方，就存在一個(gè)埋氧層斜面，它可以束縛帶正電的空穴，形成高濃度的正面電荷，這些電荷大大提高了器件縱向耐壓。而且，器件漂移區(qū)厚度從源到漏線性增加，根據(jù)RESURF(降低表面電場(chǎng))原理，橫向電場(chǎng)因受到調(diào)制而變得均勻，有利于提高橫向耐壓和抑制比導(dǎo)通電阻的快速增加。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人西華大學(xué);
- 發(fā)明人陽(yáng)小明;李天倩;卿朝進(jìn);蔡育;
- 地址610039 四川省成都市金牛區(qū)土橋金周路999號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201410539085.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年10月13日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN104241388A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年12月24日
- 分類(lèi)號(hào)H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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